PowerWise? LMH6629는 노이즈를 최대한 낮추는 것이 성능의 주요 관건인 시스템을 설계하는데 매우 적합하다. 이 제품은 정밀 시스템에 필요한 광범위한 대역폭과 높은 게인, 정밀 앰프 기능을 선택할 수 있는 유연성을 지원한다. 여기에는 통신, 테스트 및 계측, 의료 이미징, 산업용 및 광원 검출 및 LIDAR(항공 레이더 측량) 애플리케이션에 사용되는 16비트 시스템도 포함된다.
또한 LMH6629는 각각 -90dBc와 -94dBc에 대해 낮은 입력 전류 노이즈(2.6 pA/sqrt Hz)와 2,3차 고조파 왜곡(f = 1 MHz) 성능을 제공한다. 매우 낮은 DC 오류(25 ℃에서 최대 780 uV 입력 오프셋 전압, 1도당 +/- 0.45 uV의 TCVos)와 결합된 Op 앰프의 낮은 입력 노이즈, 적은 왜곡 및 고속 특성 덕분에 AC 및 DC 연결형 애플리케이션 모두에서 정밀한 작동이 가능하다.
LMH6629의 입력 동상 모드 범위는 접지 미만까지 확장되었으며 출력 변화는 +/- 250 mA 이상의 리니어 출력 전류를 가진 레일의 0.8V 이내까지 이른다. PowerWise Op 앰프는 15.5 mA를 소모하며, 2.7V ~ 5.5V의 공급 전압 범위를 지원한다. 사용자가 선택 가능한 내부 보정 기능은 다른 앰프에서 요구되는 외부 보정 부품과 추가적인 설계 시간을 없애준다. LMH6629를 사용할 경우 설계자는 최소 게인 선택 핀을 하한 또는 상한까지 끌어올림으로써 최소 4 또는 10으로 게인을 설정할 수 있다.
LMH6629는 내셔널의 새로운 CBiCMOS8 실리콘 게르마늄(SiGe) 상보 양극-CMOS 공정 기술을 통해 제조되었다. 현재 업계에서 최첨단 아날로그 공정 중 하나인 CBiCMOS8은 유니크한 모놀리식 SiGe NPN 및 PNP 트랜지스터를 비롯하여, 수요가 증가하고 있는 고속 아날로그 애플리케이션을 위해 뛰어난 속도, 선형성, 회로 밀도, 저전력과 낮은 노이즈 성능을 구현할 수 있게 해주는 저전력 CMOS 트랜지스터의 조합으로 되어 있다.
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