건국대 물리학과 정호상 씨, 동아시아 초전도전자공학 우수연구상 수상
건국대 물리학과 정호상 씨, 동아시아 초전도전자공학 우수연구상 수상
  • 권혁교 기자
  • 승인 2015.11.11 16:39
  • 댓글 0
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건국대학교 대학원 물리학과 정호상 박사과정 학생이 11월 3~6일 대전 한국표준과학연구원에서 개최된 제8회 동아시아 초전도전자공학심포지움 (East Asia Symposium on Superconductive Elelctronics, EASSE2015)에서 우수 연구 포스터 발표상(Award for Best Poster Presentation)을 수상했다.

정호상씨는 극저온에서 실리콘의 전자파에너지 손실이 작다는 사실을 연구해 실리콘의 극저온용 전자소재로서의 응용성을 확대한 연구(논문제목: 'Use of dielectric resonators with YBa2Cu3O7-δ endplates for sensitive measurements of the loss tangents of high-resistivity silicon crystals at cryogenic temperatures’)로 이번 상을 수상했다.

이 논문에는 초전도양자컴퓨터 제작에 사용되는 초전도양자 bit(qubit)이나 전파천문학 분야의 MKID (마이크로파 동적인덕턴스 검출기)와 같은 각종 고감도 센서 제작에 응용 가능한 고저항 실리콘의 극저온 특성을 고온초전도체 마이크로파 공진기로 비접촉식 측정한 결과가 기술되어 있다.

반도체 메모리를 포함한 광범위한 전자소자들의 제작 시 사용되는 실리콘 반도체를 고순도로 제작한 것이 고저항 실리콘인데, 정호상씨는 극저온에서 고저항 실리콘의 전자파에너지 손실이 극히 작다는 사실을 밝힘으로서 실리콘의 극저온용 전자소재로서의 응용성이 보다 확장될 수 있음을 확인시켰다는 평가를 받았다.

동아시아 초전도전자공학 심포지움은 한국, 일본, 중국, 타이완, 인도를 포함한 동아시아의 초전도전자공학 분야 과학자들이 격년으로 개최하는 국제학회로서 한국은 지난 2005년에도 경주에서 열린 제3회 심포지움(EASSE2005)을 주관한 바 있다.
 


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