이 제품은 세계 최초로 40나노급 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량으로, 모바일 제품 중 최저전압인 1.2V로 동작이 가능하다. 특히 전력 소비가 기존 모바일 제품인 LPDDR의 50% 수준, PC DDR2 제품의 30% 수준에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다.
또한 최대 1,066Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)의 경우 초당 최대 4.26기가바이트(GB), 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 8.52기가바이트의 데이터를 처리할 수 있다. 이 속도는 보통 영화 5~6편을 1초에 다운받을 수 있는 수준이다.
이번 제품은 업계 최대 이슈로 떠오르고 있는 스마트폰(Smartphone)과 스마트북 (Smartbook), 태블릿 PC(Tablet PC) 등의 다양한 차세대 애플리케이션에 지원이 가능하다. 국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 규격을 만족하는 이 제품은 올해 상반기부터 양산될 예정이다.
하이닉스는 지난해 세계 최초로 50나노급 2기가비트 LPDDR과 초고속 1기가비트 LPDDR2 등 고사양의 모바일 D램 제품을 연달아 출시한 바 있으며(아래 표 참조), 지속적으로 모바일 사업을 강화해 다양한 제품군을 확보해왔다. 하이닉스는 이러한 사업 역량을 바탕으로 고용량화·저전력화·고속화·소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도해 나갈 예정이다.
한편 시장 조사기관인 아이서플라이(iSuppli)는 모바일 D램 시장이 2009년부터 2013년 까지 연평균 32.3%씩 급성장할 것으로 전망하고 있다. 휴대전화의 모바일 D램 채용률 또한 2009년 66% 수준에서 2012년 80%까지 성장할 것으로 보고 있다.
하이닉스반도체는 범용 D램의 생산을 최소화하고 모바일 D램 등 고부가가치 제품의 생산을 증가시키고 있다. 2007년에 전세계 모바일 D램 시장의 7.1%를 차지했던 점유율의 경우, 올해 30% 이상 달성하는 것을 목표로 하고 있다.
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